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| 申请号 | 201110150330.5 |
申请日 | 2011.06.07 |
| 名称 | 一种垂直结构的发光器件及其制造方法 |
| 公开(公告)号 | CN102214751A |
公开(公告)日 | 2011.10.12 |
| 主分类号 | H01L33/10(2010.01)I |
分案原申请号 | |
| 分类号 | H01L33/10(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
| 颁证日 | |
优先权 | |
| 申请(专利权)人 | 晶科电子（广州）有限公司 |
| 地址 | 广东省广州市南沙区南沙资讯科技园软件楼南101 |
| 发明(设计)人 | 曹建兴;王瑞珍;赖燃兴;周玉刚;肖国伟 |
国际申请 | |
| 国际公布 | |
进入国家日期 | |
| 专利代理机构 | 广州新诺专利商标事务所有限公司 |
代理人 | 罗毅萍 |
| 专利描述 |
一种垂直结构的发光器件，包括一LED芯片和一支撑衬底。该LED芯片自上而下依序包括N电极、N电极反射层、氮化镓N型层、量子阱、氮化镓P型层、P电极和芯片键合层，该N电极和N电极反射层的面积小于该氮化镓N型层的面积，该P电极和芯片键合层在对应N电极反射层正下方的投影区域具有一窗口，使该氮化镓P型层在该窗口处外露。该支撑衬底对应该窗口处具有一反射腔，该反射腔的底面具有一反光层。该LED芯片通过芯片键合层键合固定在该支撑衬底上，且底面具有使垂直于N电极反射层的入射光线经反射腔的底面反射后以非垂直于N电极反射层的角度射出的结构。本发明的发光器件具有高外量子效率。 |
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