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| 申请号 | 201010600683.6 |
申请日 | 2010.12.22 |
| 名称 | 具有静电损伤保护功能的发光二极管器件及其制造方法 |
| 公开(公告)号 | CN102130287A |
公开(公告)日 | 2011.07.20 |
| 主分类号 | H01L33/62(2010.01)I |
分案原申请号 | |
| 分类号 | H01L33/62(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
| 颁证日 | |
优先权 | |
| 申请(专利权)人 | 晶科电子（广州）有限公司 |
| 地址 | 广东省广州市南沙区南沙资讯科技园软件楼南101 |
| 发明(设计)人 | 周玉刚;肖国伟;李永德;许朝军;赖燃兴;姜志荣 |
国际申请 | |
| 国际公布 | |
进入国家日期 | |
| 专利代理机构 | 广州新诺专利商标事务所有限公司 |
代理人 | 罗毅萍 |
| 专利描述 |
本发明涉及一种具有静电损伤保护功能的发光二极管器件，包括发光二极管芯片和倒装基板。该发光二极管芯片包括一发光区和一静电防护区。其中，该发光区包括一发光二极管，该静电防护区包括至少两个静电防护二极管，该发光二极管和静电防护二极管通过隔离槽相互隔离。该倒装基板包括一表面绝缘的基底，及覆盖在基底表面上的金属线层。该发光二极管芯片倒装在该倒装基板上，通过该倒装基板上的金属线层，该静电防护二极管串接然后与该发光二极管反向并联。本发明的发光二极管器件具有良好的抗ESD性能，且能进行反向漏电流测试，以甄别不良品防止长期可靠性出现问题。 |
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